“国家队”助力下,中芯国际宣布:N+1工艺有望试产

投稿时间:2020-09-23  消息来源:  提交者:洪门小拳

编者按:在部分客户问及中芯国际N+1、N+2等先进工艺的芯片量产进展时,该司对此表示,第二代 FinFET N+1已进入客户导入阶段,预计有望在2020年底实现小批量试产。根据业界此前的说法,目前中芯国际全力“攻坚”的N+1、N+2工艺,将是对标台积电7nm芯片的重要业务。
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今年3月,中芯国际正式对外界解开了其N+1、N+2工艺项目的“神秘面纱”。根据报道,中芯国际相关人士详细解释道,N+1其实是该司内部对该项目的“代称”,在性能上与台积电等推进的7nm工艺还存在一定距离,但就功耗、稳定性方面来说,N+1可以与7nm相媲美。
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据此,业界认为中芯国际的N+1可以说成是“低配版”的7nm工艺,性能上类似于台积电、三星的10nm。按照这家中国芯片制造商的想法,通过大力推进N+1项目,既可以令其暂时减轻远远落后于台积电的压力,也可以凭借“低成本”的巨大优势,率先拿下高端芯片市场的一部分份额。

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要知道,自从美国发布新规之后,中芯国际就被外界视为华为“破局”的重要合作伙伴。今年年初 ,华为将14nm芯片订单交由中芯国际,而华为海思也一举成为其最大客户。
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早在今年4月,中芯国际就完成了N+1工艺的客户介绍和产品认证步骤,流片阶段也于去年年末顺利完工。至于因美国方面干预而迟迟没有“到手”的EUV光刻机,中芯国际也表示,当前正在进行的N+1和N+2项目暂且用不到这个设备。
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不过,中科院日前的一则举动,无疑将进一步缓解中芯国际“没有光刻机”以及“造不出高端芯片”的困境。9月16日当天,国家队选手――中科院释放出“重要信号”,接下来将跑步入场,聚焦关键的核心技术,解决我国光刻机、高端芯片等方面的生产难题。
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