取代5nm!台积电3nm规划两代:性能最高提升15%

投稿时间:2021-10-16  消息来源:  提交者:古姿女郎

在10月14日业绩会上公布三季度财报后,台积电还透露了先进制程的最新进展。
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大家最关心的3nm方面,第一代计划明年下半年投产,同时,3nm也有增强版(N3E),计划2023年下半年投产。显然,这样的节奏大概率会与第一大客户苹果的A16、A17处理器相对应。
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“E”的后缀说实话比较新鲜,毕竟7nm增强版、5nm增强版都是用“P”做后缀,不知道E代表底气更足还是更差了,谨慎猜测是后者。

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按照此前披露的信息,第一代3nm(N3)的功耗将比5nm降低25~30%,性能提升10~15%,晶体管密度提升70%。纵向对比的话,弱于5nm之于7nm的变化,坦率来说,有些让人失望。
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另外,针对部分特定需求客户,台积电还有4nm在准备,它可以视为5nm的改良版,晶体管密度提升6%,同时制造流程简化,换言之,良率会更高。
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在微观层面,台积电的3nm仍旧是FinFET晶体管结构,这预计也是FinFET的谢幕之作。Intel、三星、台积电都将悉数向GAA(环绕栅极)晶体管过渡,其中Intel称之为RibbonFET,拥有独家的PowerVia背面电路技术。
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